Transistors. Page 73 sur 114. Avtronic

Transistor IRF3710S

5.04€ TTC

58 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 57A. Puissance: 3.8W. Rds: 0.025 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711

9.74€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF3711 N-MOS 20V 110A 120W<0.047R(69A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)17nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 69 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711S

6.33€ TTC

39 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 120W. Rds<0.047 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711Z

7.95€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF3711Z N-MOS+Z 20V 92A 79W<0.048R(65A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)15nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 92 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 65 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3711ZS

7.62€ TTC

4 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 92A. Puissance: 79W. Rds<0.048 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF3808

8.34€ TTC

137 En stock

Transistor IRF3808 N-MOS 75V 140A 330W 0.007R(97A). HEXFET Power MOSFET. RDS(on):0.007ohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 97 A. Rds (Ohms): 0.007.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF460

51.97€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF460 N-MOS 500V 21A 300W<0.27R(14A). HEXFET. Idm: 84A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-3 (TO204A). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 21 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.27. Puissance: 300 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF4905

5.38€ TTC

151 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -74A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds): 0.02 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF4905SPBF

6.94€ TTC

686 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 55V 70A/260Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.02 Ohms (52A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF510

2.41€ TTC

177 En stock

Transistor IRF510 N-MOS 100V 5.6A 43W<0.54R(4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 0.54.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF520

2.91€ TTC

249 En stock

Transistor IRF520 N-MOS 100V 9.2A 60W<0.27R(6.5A). STripFETII POWER MOSFET. LOW GATE CHARGE. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.27

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF520FI

15.29€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF520FI N-MOS 100V 9.2A 30W<0.027R(5.5A. V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Rds: <27mohm. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.027. Puissance: 30 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF5210

6.72€ TTC

112 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -40A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF5210S

8.34€ TTC

29 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 3.8W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohms. Boîtier: D2Pak (TO-263).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF530

2.69€ TTC

142 En stock

Transistor IRF530 N-MOS 100V 14A 90W <0.16R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.16.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF5305

3.70€ TTC

51 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF530N

3.53€ TTC

110 En stock

Transistor IRF530N N-MOS 100V 17A 70W <0.09R(12A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.09.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF540

4.03€ TTC

110 En stock

Transistor IRF540 N-MOS 100V 28A/110Ap 150W 0.077R (20A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF540N

2.69€ TTC

326 En stock

Transistor IRF540N N-MOS 100V 33A/110Ap 130W 0.044R (23A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <44mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 23 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF540NS

4.03€ TTC

50 En stock

Transistor IRF540NS N-MOS 100V 33A/110Ap 3.8W/140W*<0.052R(23A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant impulsion: 110 Ap. Puissance: 3.8 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF540Z

3.81€ TTC

395 En stock

Transistor IRF540Z N-MOS+Z 100V 36A/140Ap 92W<0.021R(25A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <21mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRF3710S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 57A. Puissance: 3.8W. Rds: 0.025 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2-Pak.

Transistor IRF3711

Transistor IRF3711 N-MOS 20V 110A 120W<0.047R(69A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)17nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 69 A.

Transistor IRF3711S

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 110A. Puissance: 120W. Rds<0.047 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Transistor IRF3711Z

Transistor IRF3711Z N-MOS+Z 20V 92A 79W<0.048R(65A). HEXFET Power MOSFET. td(on)12nS. td(off)15nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 20 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 92 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 65 A.

Transistor IRF3711ZS

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de Drain maxi: 92A. Puissance: 79W. Rds<0.048 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-2PAK.

Transistor IRF3808

Transistor IRF3808 N-MOS 75V 140A 330W 0.007R(97A). HEXFET Power MOSFET. RDS(on):0.007ohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 140 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 97 A. Rds (Ohms): 0.007.

Transistor IRF460

Transistor IRF460 N-MOS 500V 21A 300W<0.27R(14A). HEXFET. Idm: 84A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-3 (TO204A). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 21 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.27. Puissance: 300 W

Transistor IRF4905

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -74A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds): 0.02 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor MOSFET canal-P IRF4905SPBF

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 55V 70A/260Ap. 200W. Résistance passante RDSon : 0.02 Ohms (52A)

Transistor IRF510

Transistor IRF510 N-MOS 100V 5.6A 43W<0.54R(4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 0.54.

Transistor IRF520

Transistor IRF520 N-MOS 100V 9.2A 60W<0.27R(6.5A). STripFETII POWER MOSFET. LOW GATE CHARGE. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.27

Transistor IRF520FI

Transistor IRF520FI N-MOS 100V 9.2A 30W<0.027R(5.5A. V-MOS (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Rds: <27mohm. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.5 A. Rds (Ohms): 0.027. Puissance: 30 W

Transistor IRF5210

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -40A. Puissance: 200W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF5210S

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 3.8W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohms. Boîtier: D2Pak (TO-263).

Transistor IRF530

Transistor IRF530 N-MOS 100V 14A 90W <0.16R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.16.

Transistor IRF5305

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.06 Ohm. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF530N

Transistor IRF530N N-MOS 100V 17A 70W <0.09R(12A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.09.

Transistor IRF540

Transistor IRF540 N-MOS 100V 28A/110Ap 150W 0.077R (20A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRF540N

Transistor IRF540N N-MOS 100V 33A/110Ap 130W 0.044R (23A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <44mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 23 A.

Transistor IRF540NS

Transistor IRF540NS N-MOS 100V 33A/110Ap 3.8W/140W*<0.052R(23A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant impulsion: 110 Ap. Puissance: 3.8 W

Transistor IRF540Z

Transistor IRF540Z N-MOS+Z 100V 36A/140Ap 92W<0.021R(25A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. <21mohm. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 36 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A.

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